Menu Close

美光核心技术团队将撤离中国; 发绿卡给核心团队研发人员提供技术移民美国的资格

1月25日,网媒集微网消息,美光科技正在解散150人左右规模的上海研发中心,并挑选了40多位核心研发人员提供移民技术美国的资格。

美光此次并非解散整个上海研发中心,而是仅仅解散了DRAM设计部门,该部门总人数超过100人。

某半导体行业高管评论称,美光解散DRAM设计团队很有可能是出于防止技术外泄的考虑,虽然目前国内的DRAM企业数量相对较少,但未来几年内或有可能涌现出新的几家DRAM制造商,而且现有的DRAM企业也正求贤若渴,美光此举或是想将产品的设计和研发收拢至中国大陆以外地区。

DRAM内存进入黄金时代

据美国Business Journal援引消息人士报道,全球最大的半导体公司之一的美光科技正考虑在美国德州中部投资,推进一项1500亿美元(约合人民币9539.25亿元,近万亿)的计划,扩大芯片制造能力。

据《华尔街日报》报道,美光去年10月已宣布未来十年投资超过1500亿美元,解决全球芯片短缺问题,并促进美国国内半导体生产。美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示,公司将扩大现有的芯片制造设施,利用这笔资金建造新工厂。

国金证券预测:

1、未来10年全球 DRAM 厂的资本开支将有13%的复合增长率;

2、因为半导体设备越来越贵, 每10亿美元 DRAM 厂的资本开支所能换来的 DRAM 晶圆产能将逐年减少8-9%;

3、未来10年全球 DRAM 晶圆厂年产能将以6-7%的复合增长率增加;

4、DDR5 DRAM 逐季,逐年比重提升,每颗 DDR5芯片将比 DDR4 DRAM 的制造多消耗30-50%的产能, 意思就是未来10年,全球DRAM 晶圆厂需要投入比过去10年更多的资本开支,才能维持6-7%的产能复合增长率;

5、 未来每年每片晶圆仍然像过去一样有10%的位元产能增长, 但因为加了 EUV 光刻机,未来10年资本开支的复合增长率将高于过去10年的复合增长率近2个点;

6、未来10年全球 DRAM 行业应该是长期处于供给不足的状态,估计短期供过于求的下行周期将有2-3次,少于过去十年于2010-2020年 的4次。

美光核心技术团队将撤离中国 还要“发”绿卡

图:逻辑及内存芯片制造所需 EUV 光刻机数量测算

DRAM大陆竞争格局

目前中国主要的 DRAM 制造厂商为福建晋华、合肥长鑫、紫光南京,其中紫光南京的量产环节仍主要在台湾力晶进行,福建晋华由于受到美国实体清单制裁,关键技术受到限制,致使 DRAM 研发停滞,因此合肥长鑫为短期内中国 DRAM 产业国产替代唯一的希望。

长鑫产品定位于大宗标准型 DRAM 产品,目前已量产19nm 的 DDR4/LPDDR4/LPDDR4X 等,良率在75-85%,未来2-3年内将推进低功耗高速率 LPDDR5 DRAM 产品开发。

截至2020年底,长鑫19nm 产能为4万片/月,17nm 预计21年底量产,产能将提升至8.5万片/月,预计22年产能可达满至12万片/月。长鑫二期12寸厂房也已奠基,将用于1y nm 以下工艺节点(14-16nm 工艺),远期共规划三期建设三座12寸 DRAM 晶圆厂,预计三期满产后产能可达36万片/月。

兆易创新目前推出的 DDR4使用长鑫19nm 产线,未来17nm DDR3也将由长鑫代工,根据产业链调研,预计长鑫将给予兆易25%的产能保障。

本文内容除特别注明外均取自各新闻媒体,并不代表本网立场!

发表评论

您的电子邮箱地址不会被公开。

Posted in 科技新闻

相关新闻