TechInsights确认华为Mate Pro 60采用中芯国际N+2 7nm工艺

本周早些时候，华为Mate Pro 60在中国推出。虽然在意料之中，但该设备的细节已经引起了极大的关注。其中包括海思最新的5G处理器麒麟9000 (Hi36A0)，这是中芯国际先进的N+2 7nm技术。

TechInsights将于下周发布关于华为Mate Pro 60的技术分析和评论。如果中芯国际的N+2 7nm(集成SRAM缓存)和5G射频前端芯片组被公布，这将是中国半导体行业的一个重大里程碑和突破，也会在全球舞台上产生颠覆性影响。

TechInsights在2022年分析的中芯国际N+1 7nm技术用于MinerVA7比特币矿机ASIC应用，由于生产数量较少，芯片组对可能的生产工艺变化不太敏感。中芯国际新一代7nm制程的关键在于能够在以前存在产量问题的工艺中实现大规模生产。从半导体制程技术的角度来看，这是支持bitcell(嵌入式SRAM)的中国先进制程技术节点的首次商业应用，为完全实现国内先进的SoC设计和制造生态系统打开了大门。

我们的工程、实验室和市场分析团队正在准备评论、预测影响和技术分析，并将在TechInsights平台上发布我们的见解和初步的拆解图像。

中芯国际N+2 7nm工艺

据彭博社报道，中芯国际已于去年成功量产了7nm制程工艺芯片。该消息虽然不是由中芯国际亲口证实，但却得到了逆向工程和拆解公司TechInsights的确认。

 

据介绍，TechInsights在公开市场上购买了比特币矿机厂商MinerVa的矿机中，在对其矿机所采用的MinerVA7（简称“MV7”）芯片进行拆解后发现，其采用的是中芯国际的7nm（N＋2）制程。

根据TechInsights公布的了MinerVa矿机的电路板、芯片内核照显示，一台MinerVa矿机的主板上拥120颗MV7芯片。

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MV7芯片核心尺寸为4.6mm×4.2mm，由于只是一款专用的虚拟币挖矿芯片，所以芯片内部结构也比较简单。

根据MinerVa官网资料显示，MV7基于7nm制程工艺制造，拥有三个版本，算力也有差异，分别为：

MV7L 95-105TH/s 31J/TH

MV7M 85-95TH/s 35J/TH

MV7S 75-85TH/s 39J/TH

另外，TechInsights对于MV7芯片进行拆解分析后认为，该芯片是基于中芯国际7nm（N＋2）制程工艺制造的。并表示，这凸显了中国在应对国际制裁方面日益增加的本地化选择。

需要指出的是，2020年12月18日晚间，美国商务部以保护美国国家安全和外交利益为由，宣布将中芯国际及其部分子公司及参股公司列入“实体清单”。美国供应商要想供货中芯国际合作，必须要取得美国商务部的许可。并且，美国商务部有特别指出，对于10nm及以下先进工艺所需的物品都会直接拒绝。

因此，外媒对于中芯国际于2021年成功量产7nm制程工艺的芯片一事颇为诧异，并表示，中芯国际已经“悄悄的突破了美国的限制”，意指中芯国际似乎“违反了美国禁令”。同时还炒作称，中芯国际这一举动领先了美国与欧洲的相关半体制造技术。

然而实际情况却并非外媒炒作的那样。

2019年，中芯国际在14nm制程工艺量产之后，就开始了其后续两代的先进制程研发，内部代号分别为“N＋1”和“N＋2”，但并未给出对应的工艺节点。

根据当时中芯国际联席CEO梁孟松博公布的信息显示，的N＋1工艺和现有的14nm工艺相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。从逻辑面积缩小的数据来看，应该是接近7nm工艺。

梁孟松也表示，N＋1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似，但性能要低一些（业界标准是提升35%），所以中芯国际的N＋1工艺主要面向低功耗应用的。而在N＋1之后，中芯国际还会有N＋2，这两种工艺在功耗上表现差不多，区别在于性能及成本，N＋2显然是面向高性能的，成本也会增加。2020年9月下旬，中芯国际对外回应称，其N＋1工艺已经进入客户导入阶段，有望于2020年底小批量试产。

随后在10月上旬，芯动科技发布消息称，该公司已完成全球首个基于中芯国际N＋1先进工艺的芯片流片和测试。

芯智讯也了解到，2020年底，嘉楠科技基于中芯国际N＋1工艺的矿机芯片也已经开始小批量量产。

虽然在2020年12月18日，美国将中芯国际列入了实体清单，并对10nm及以下先进工艺所需的物品直接禁运。但是中芯国际的生产并未立刻中断。

中芯国际在被列入实体清单之后展开了全力自救。2021年2月，中芯国际对外表示，虽然禁令影响下，设备等待期拉长，但中芯国际强调没有客户“离开”。因为客户如果将产品拿到另外一家晶圆厂去验证再生产起码需要9个月的时间。另外，很多客户需要的产能很特殊，而在当时全球晶圆产能极为紧缺的情况下更是难以找到替代。

直到2021年3月初，业内才有消息显示，中芯国际的部分美国设备厂商的供应获得了美国政府的许可，可以向中芯国际供应部分成熟工艺用半导体设备等。但是10nm及以下制程设备仍是被禁止供应的。

但是，中芯国际在2021年7月为MinerVa生产MV7的矿机芯片，应该是利用其原有的量产“N＋1”的产线。而且，中芯国际原有的14nm制程产线如果经过一些改造应该也可以用来生产“N＋1”或“N+2”工艺，因为14nm制程产线上的设备与7nm产线设备很多是通用的，所以这并不是一件什么奇怪的事。

一位晶圆厂内部人士向芯智讯透露：“7nm产线设备和14nm产线设备确实有很多是通用的设备，但是也存在着一些差异，大致的设备差异比例约30%。”

不过，另一位设备厂商内部人士则告诉芯智讯：“7nm产线设备和14nm产线设备大部分都是通用的，仅少部分存在一些差别，比如AMAT的长Epi Process Tool。不过，中芯国际原本用于生产14nm的产线设备，大部分与台积电用于生产N10、N7的设备是一样的，因为中芯国际之前采购的也一直是买比新的好设备，而更好的设备可以抵消很多技术上的差距。比如南京台积电制造N16/N12，其实很多用的是二手的老设备（一些是台中Fab15/台南Fab14厂淘汰下来的），照样用的很好，良率也很高，这就是技术水平上的差距。”

从上面的介绍来看，即使MinerVa MV7是基于中芯国际“N＋2”工艺制造在2021年7月量产，也并不能认为是中芯国际违反了美国禁令。更何况，MinerVa MV7是否真的是采用的中芯国际“N+2”工艺制造，并未得到官方的证实。而TechInsights的拆解报告已曝光的部分并未透露其是如何确定MV7是由中芯国际7nm制造的（这份报告需要付费才能看到全部内容）。

此外，中芯国际即使成功量产7nm，实际上也并没有领先美国。美国英特尔的Intel 7工艺（原来的英特尔10nm工艺，相当于台积电7nm工艺）早已量产，并且今年下半年还将量产Intel 4工艺（相当于台积电4nm工艺）。

而且，由于ASML的EUV光刻机被禁止向中国大陆出口，而目前7nm以下的先进制程制造则需要用到EUV光刻机，与此同时，中芯国际由于被美国制裁，断供10nm及以下制程所需的设备及物料，也使得中芯国际难以继续发展7nm以下的先进制程。

所以，国外媒体此时刻意来炒作中芯国际量产7nm，称中芯国际“悄悄的突破了美国的限制”，同时还炒作，中芯国际领先了美国与欧洲的相关半体制造技术，恐怕是别有用心。

此前消息显示，美国正计划进一步细化对华禁令，希望一方面既能够阻止中国大陆芯片制造商发展14nm以下的先进制程（即禁止向中芯国际出口能够制造14nm及以下先进制程芯片的工具，用于其具备先进制程制造能力的工厂），又想要中国大陆芯片制造商能够继续生产成熟制程芯片（成熟制程工厂可以继续生产），以缓解成熟制程缺芯问题。而且，美国为了封堵中国大陆发展先进制程，还计划拉上荷兰、日本、韩国等在先进制程设备领域实力较强的国家来一起围堵。

与此同时，近期美国政府正在积极的向荷兰政府施压，希望荷兰政府禁止ASML向中国大陆出售对制造大部分芯片都至关重要的主流技术产品（包括DUV设备，主要是浸润式光刻机），以扩大其遏制中国大陆崛起的行动。荷兰外交大臣胡克斯特拉近日也对外证实了这一消息。

对此，ASML CEO在二季度财报会议上表示，“中国大陆是半导体产业的重要参与者。不仅在成熟的制程技术上，而且在主流的半导体当中，中国大陆都是全球市场非常重要的供应商（仅中芯国际和华虹半导体两家大陆厂商，就占据了全球晶圆代工市场10%的份额）。所以，我们必须小心我们正在做的事情。”

【小编】

未经证实的报道，中国的芯片制造商中芯国际正在生产7纳米芯片。以前的消息是，中国目前只能生产到14纳米，与世界最先进水平还落后两代，估计需要10年时间才能赶上。如果上面的传言正确，这就是现在的名单：
1. 台湾的台积电：5纳米
2. 中国的中芯国际：7纳米
3. 美国的英特尔。10纳米
西方专家都说这是不可能的。如果有人把 “不可能 “和 “中国 “放在同一个句子里，不知道他们在过去20年里生活在哪个星球上。
必须说我也有怀疑，但我不会排除这种可能性。如果我是中芯，我也会尽量保持低调，不要惹火上身。